BU5027A – NPN Transistor

Part Number : BU5027A

Function : NPN Transistor

Manufactures : Jingdao

Images :

1 page
BU5027A image

2 page
pinout

Description :

深圳市晶导电子有限公司 Shenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. TEL:0755-29799516 FAX:0755-29799515 Http://www.jdsemi.cn BU5027A – 主要用途 : 主要特点: – 主要特点: NPN 功率三极管 各类功率开关电路。 硅三重扩散平面工艺、输出特性好、电流容量大。 B 基极 C 集电极 E 发射极 极限值: 极限值:( Tc=25 ℃ ) 参 数 名 称 符 号 额定值 ≥ 800 ≥ 1100 ≥9 2.7 45 150 - 55 ~ 150 单 V V V A W ℃ ℃ 位 集电极-发射极击穿电压 集电极-基极击穿电压 发射极-基极击穿电压 最大集电极直流电流 最大耗散功率 最高结温 贮存温度 BVCEO BVCBO BVEBO Icm Pcm Tjm Tstg 电特性: 电特性: ( Tc=25 ℃ ) 参数名称 集电极-发射极击穿电压 集电极-基极击穿电压 发射极-基极击穿电压 集电极-发射极反向漏电流 集电极-基极反向漏电流 发射极-基极反向漏电流 符号 BVCEO BVCBO BVEBO ICEO ICBO IEBO 测 试 条 件 IC=1mA; IC=1mA; IE=1mA; VCE=750V; IB=0 IE=0 IC=0 I B=0 规范值 最小值 800 1100 9 20 10 10 15 8 0.6 0.5 4 35 最大值 单位 V V V uA uA uA VCB=1050V ; I E=0 VEB=7V; VCE=5V; IC=0 IC=0.2A IC=1mA IB=1A 共发射极直流电流增益 HFE VCE=5V; IC=2A; 集电极-发射极饱和压降 下降时间 特征频率 VCE (sat) tf fT V uS MHz IC=1A;I B1=IB2=0.2A;VCE=300V VCE=10V;I C=0.1A; f =1MHz Jingdao Electronic Corporation V01 1/3 深圳市晶导电子有限公司 Shenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. TEL:0755-29799516 FAX:0755-29799515 Http://www.jdsemi.cn 静态输出特性 2 100mA 1.6 80mA Ic (A )集电极电流 HFE 直流电流增益 1.2 60mA 30 40 50 HFE 直流电流增益- Ic 集电极电流 Vce=5V 0.8 40mA 20 0.4 20mA 10 Ib=0 0 2 4 6 8 Vce(V)集电极-发射极电压 10 1 0.01 0.1 1 Ic(A)集电极电流 2 2.7 Vce(sat)集电极 – 发射极饱和压降- Ic 集电极电流 3 (V )集电极-发射极饱和压降 Vce (sat ) 50 Pc 耗散功率- Tj 结温 40 2 Ic=2Ib Pc (W %)耗散功率 2 3 30 1 20 10 0.1 0 0.01 0.1 1 Ic(A)集电极电流 0 40 80 120 Tj(℃)结温 160 200 SOA(DC)安全工作区 10 Ic (A )集电极电流 1 0.1 0.01 1 10 100 Vce(V)集电极-发射极电压 1000 BU5027A 2/3 Jingdao Electronic Corporation V01 深圳市晶导电子有限公司 Shenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. TEL:0755-29799516 FAX:0755-29799515 Http://www.jdsemi.cn 封装形式: 封装形式: TO-220A ( 单位: 单位:mm ,无其他特别说明公差 ,无其他特别说明公差 ±0.1mm) BU5027A 3/3 Jingdao Electronic Corporation V01 […]

3 page
image

BU5027A Datasheet


This entry was posted in Uncategorized. Bookmark the permalink.