CM2N65 – POWER MOSFET

Part Number : CM2N65

Function : POWER MOSFET

Manufactures : Jingdao Electronic

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R www.jdsemi.cn 深圳市晶导电子有限公司 ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. CM2N65F POWER MOSFET ◆650V N-Channel VDMOS ◆使用及贮存时需防静电 ◆符合 RoHS 等环保指令要求 1.主要用途 主要用于充电器、LED 驱动、PC 辅助 电源等各类功率开关电路 2.主要特点 开关速度快 通态电阻小,输入电容小 3.封装外形 TO-220FL 4.电特性 4.1 极限值 除非另有规定,Tamb= 25℃ 参数名称 漏极-源极电压 连续漏极电流 漏极脉冲电流 栅极-源极电压 单脉冲雪崩能量 热阻(结到壳) 耗散功率(Ta=25℃) 结温 贮存温度 4.2 电参数 除非另有规定,Tamb= 25℃ 参数名称 符号 漏源击穿电压 通态电阻 阈值电压 漏源漏电流 栅源漏电流 源漏二极管正向压降 关断延迟时间 BVDSS RDSON- VGS(TH) IDSS IGSS VSD- td(off) 输入电容 Ciss – 脉冲测试 :tP≤ 300us, δ≤2% – L=10mH,ID=2A,TJ= 25℃ 1 2 1 栅极(G) 2 漏极 (D) 3 源极(S) 符号 VDSS ID IDM VGS EAS RθJC Ptot Tj Tstg 额定值 650 2.0 8.0 ±30 80 5.21 24 150 -55~150 单位 V A A V mJ ℃/W W ℃ ℃ 测试条件 VGS=0V,ID=250μA VGS=10V,ID=1A VDS=VGS,ID=250μA VDS=630V,VGS=0V VGS= ± 30V IS=2A,VGS=0V VDD=300V,ID=2A RG=18 Ω,VGS=10V VGS=0V,VDS=25V f=1.0MHZ 规范值 最小 典型 最大 650 3.6 4.3 24 25 ±100 1.5 单位 V Ω V μA nA V 33 ns 280 pF 地址:深圳市宝安区新安街道留仙二路鸿辉工业园 3 号厂房 电话:0755-29799516 传真:0755-29799515 第 1 页 2013 版 R www.jdsemi.cn 深圳市晶导电子有限公司 ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. CM2N65F POWER MOSFET 5.特性曲线 图 1 安全工作区(直流) 10 RDSON 1 .0 限 区 图 2 Ptot–T 关系曲线 25 20 Ptot-Tc 15 Ptot (W) ID(A) 0 . 1 Tc=25 TJ=Max Rated 0 .0 1 1 10 100 VDS(V) 10 5 0 0 Ptot-Ta 50 100 Tc (° C) 150 图传 曲线 图 电 – 关系曲线 Rdson ( ) ID (A) 0 VGS (V) 图 电 关系曲线 Tj C) 图 电流 关系曲线 ID BVDSS Tj (° C) Tc (° C) 地址:深圳市宝安区新安街道留仙二路鸿辉工业园 3 号厂房 电话:0755-29799516 第 2 页 2013 版 传真:0755-29799515 R www.jdsemi.cn 深圳市晶导电子有限公司 ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. 6.产品外形尺寸图(单位:mm) TO-220FL CM2N65F POWER MOSFET 地址:深圳市宝安区新安街道留仙二路鸿辉工业园 3 号厂房 电话:0755-29799516 第 3 页 2013 版 传真:0755-29799515 […]

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CM2N65 Datasheet