CM2N65 PDF – 650V, N-Ch, POWER MOSFET (CM2N65F)

Part Number : CM2N65

Function : 650V, POWER MOSFET

Package : TO-220FL Type

Manufactures : Jingdao Electronic

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Description :

This is 650V N-Channel VDMOS. Prevent static electricity when using and storing, Compliant with RoHS and other environmental protection directives.

Features :

1. The main purpose

(1) Mainly used for charger, LED driver, PC auxiliary

(2) Various power switch circuits such as power supplies

2. main feature

(1) Fast switching speed

(2) Small on-state resistance and small input capacitance

 

4.电特性 4.1 极限值 除非另有规定,Tamb= 25℃ 参数名称 漏极-源极电压 连续漏极电流 漏极脉冲电流 栅极-源极电压 单脉冲雪崩能量 热阻(结到壳) 耗散功率(Ta=25℃) 结温 贮存温度 4.2 电参数 除非另有规定,Tamb= 25℃ 参数名称 符号 漏源击穿电压 通态电阻 阈值电压 漏源漏电流 栅源漏电流 源漏二极管正向压降 关断延迟时间 BVDSS RDSON- VGS(TH) IDSS IGSS VSD- td(off) 输入电容 Ciss – 脉冲测试 :tP≤ 300us, δ≤2% – L=10mH,ID=2A,TJ= 25℃ 1 2 1 栅极(G) 2 漏极 (D) 3 源极(S) 符号 VDSS ID IDM VGS EAS RθJC Ptot Tj Tstg 额定值 650 2.0 8.0 ±30 80 5.21 24 150 -55~150 单位 V A A V mJ ℃/W W ℃ ℃ 测试条件 VGS=0V,ID=250μA VGS=10V,ID=1A VDS=VGS,ID=250μA VDS=630V,VGS=0V VGS= ± 30V IS=2A,VGS=0V VDD=300V,ID=2A RG=18 Ω,VGS=10V VGS=0V,VDS=25V f=1.0MHZ 规范值 最小 典型 最大 650 3.6 4.3 24 25 ±100 1.5 单位 V Ω V μA nA V 33 ns 280 pF 地址:深圳市宝安区新安街道留仙二路鸿辉工业园 3 号厂房 电话:0755-29799516 传真:0755-29799515 第 1 页 2013 版 R www.jdsemi.cn 深圳市晶导电子有限公司 ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. CM2N65F POWER MOSFET 5.特性曲线 图 1 安全工作区(直流) 10 RDSON 1 .0 限 区 图 2 Ptot–T 关系曲线 25 20 Ptot-Tc 15 Ptot (W) ID(A) 0 . 1 Tc=25 TJ=Max Rated 0 .0 1 1 10 100 VDS(V) 10 5 0 0 Ptot-Ta 50 100 Tc (° C) 150 图传 曲线 图 电 – 关系曲线 Rdson ( ) ID (A) 0 VGS (V) 图 电 关系曲线 Tj C) 图 电流 关系曲线 ID BVDSS Tj (° C) Tc (° C)  […]

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