KT819 – NPN Transistor

Part Number : KT819

Function : NPN Transistor

Manufactures : ETC

Images :

1 page
KT819 image

2 page
pinout

Description :

КТ819 кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор Назначение Транзистор n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе. Предназначен для использования в ключевых и линейных схемах; другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства Номер технических условий • аАО.336.189 ТУ / 02 Особенности • диапазон рабочих температур от – 45 до + 100 °С Корпусное исполнение • пластмассовый корпус КТ-28 (ТО-220) Назначение выводов Вывод №1 №2 №3 Назначение Эмиттер Коллектор База КТ819 (январь 2011г., редакция 1.0) 1 Таблица 1. Основные электрические параметры КТ819 при Токр. среды = + 25 °С Паpаметpы Обратный ток коллектора Статический коэффициент передачи тока КТ819А, В КТ819Б КТ819Г Граничное напряжение КТ819А КТ819Б КТ819В КТ819Г Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Обозначение Iкбо h21э Ед. изм. мA Режимы измеpения Uкб=40B Uкб = 5 B, Iэ =5 A Min Max 1 15 20 12 В Iэ =0,3 A, tи= 270÷330 мкс 25 40 60 80 2 Uкэо гр Uкэ нас В Iк=5A, Iб=0,5A Таблица 2. Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации КТ819 Параметры Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Rэб ≤ 1 кОм КТ819А КТ819Б КТ819В КТ819Г Напряжение эмиттер-база Постоянный ток коллектора Импульсный ток коллектора tи ≤ 10 мс, Q ≥ 100 Максимально допустимый постоянный ток базы Импульсный ток базы tи ≤ 10 мс, Q ≥ 100 Рассеиваемая мощность при Ткорп. ≤ 25 °С Обознач. Uкэ max Ед. изм. В Значение 40 50 70 100 5 10 15 3 5 60 Uэб max Iк max Iки max Iб max Iби max Рк мах В А А А А Вт КТ819 (январь 2011г., редакция 1.0) 2 ОАО “ИНТЕГРАЛ”, г. Минск, Республика Беларусь Внимание! Данная техническая спецификация является ознакомительной и не может заменить собой учтенный экземпляр технических условий или этикетку на изде […]

3 page
image

KT819 Datasheet


This entry was posted in Uncategorized. Bookmark the permalink.