Part Number: JCS7N65B
Function: 650V, 7A, N-CHANNEL MOSFET
Manufacturer: Jilin Sino
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Description
JCS7N65B is 650V, 7A, N-CHANNEL MOSFET. MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID VDSS Rdson （@Vgs=10V） Qg 用途 z 高频开关电源 z 电子镇流器 z UPS 电源 7.0 A 650 V 1.3 Ω 25 nC Applications z High frequency switching mode power supply z Electronic ballast z UPS 产品特性 z 低栅极电荷 z 低 Crss (典型值 16pF) z 开关速度快 z 产品全部经过雪崩测试 z 高抗 dv/dt 能力 z RoHS 产品 Features z Low gate charge z Low Crss (typical 16pF ) z Fast switching z 100% avalanche tested z Improved dv/dt capability z RoHS product 订货信息 ORDER MESSAGE 订 货 型 号 Order codes JCS7N65CB-O-C-N-B JCS7N65FB-O-F-N-B JCS7N65SB-O-F-N-B JCS7N65SB-O-F-N-A JCS7N65BB-O-F-N-B 印 记 封 装 无卤素 Halogen Free 否 否 否 否 否 NO NO NO NO NO 包 装 器件重量 Device Weight 2.15 g(typ) 2.20 g(typ) 1.37 g(typ) 1.37 g(typ) 1.71 g(typ) Marking JCS7N65CB JCS7N65FB JCS7N65SB JCS7N65SB JCS7N65BB Package TO-220C TO-220MF TO-263 TO-263 TO-262 Packaging 条管 Tube 条管 Tube 条管 Tube 编带 Reel 条管 Tube 版本：201211E 1/13 Free Datasheet http:// R ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃) 目 符 号 数 值 JCS7N65FB 650 7.0- 4.3- 30- ±30 Value JCS7N65CB/SB/BB 650 7.0 4.3 30 单 位 Unit V A A A V 项 绝对最大额定值 Parameter 最高漏极－源极直流电压 Drain-Source Voltage 连续漏极电流 Drain Current Symbol VDSS ID T=25℃ T=100℃ IDM VGSS -continuous 最大脉冲漏极电流（注 1） Drain Current – pulse （note 1） 最高栅源电压 Gate-Source Voltage 单脉冲雪崩能量（注 2） Single Pulsed Avalanche Energy（note 2） 雪崩电流（注 1） Avalanche Current（note 1） 重复雪崩能量（注 1） Repetitive Avalanche Energy（note 1） EAS 590 mJ IAR EAR 7.0 14.0 4.5 142 48 A mJ V/ns W 二极管反向恢复最大电压变化速率（注 3） dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt（note 3） PD TC=25℃ -Derate above 25℃ TJ，TSTG 耗散功率 Power Dissipation 1.14 0.38 W/℃ 最高结温及存储温度 Operating and Storage Temperature Range 引线最高焊接温度 Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes -55～+150 ℃ TL 300 ℃ *漏极电流由最高结温限制 *Drain current limited by maximum junction temperature 版本：201211E 2/13 Free Datasheet Tests conditions 最小 典型 最 大 单 位 Min Typ Max Units Parameter Symbol 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 关态特性 Off –Characteristics 漏－源击穿电压 Drain-Source Voltage 击穿电压温度特性 Breakdown Voltage Temperature Coefficient 零栅压下漏极漏电流 Zero Gate Voltage Drain Current 正向栅极体漏电流 Gate-body leakage current, forward 反向栅极体漏电流 Gate-body leakage current, reverse 通态特性 On-Characteristics 阈值电压 Gate Threshold Voltage 静态导通电阻 Static Drain-Source On-Resist […]