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| 3DD2498 ETC - NPN Transistor 晶分立器件 3DD2498 低 放大管 定 型晶 管 1. 述 特点 3DD2498 硅 NPN 型高反 大功率晶 管, 主要用作 21 英寸彩 源， 品采用台面 工 。其特点如下： ● 穿 高、漏 流小 ● 速度快 ● 和 降低 ● 流特性好 ● 封 形式：TO-3P(H)IS 2. 特性 2.1 限 除非 有 定，Tamb= 25℃ 名 符 集 - 射 VCE0 集 -基 VCB |
| 3DD13009 NPN Transistor - LGE 3DD13009(NPN) TO-220 Transistor 1. BASE TO-220 2. COLLECTOR Features 3 2 1 power switching applications 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) Symbol VCBO VCEO VEBO IC PC TJ Tstg Parameter Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collecto |
| 3DD13009 Silicon NPN triple diffusion type bipolar transistor - ETC 1 3DD13009 NPN 3DD13009 2 2.1 2.2 TO-220F Tamb= 25 - Ta=25 Tc=25 VCE0 VCB0 VEB0 IC Ptot Tj Tstg 400 700 9 12 2 100 150 -55 150 V V V A W Tamb= 25 10.4max 3.2 2.7max 4.8max 2.7 15.5max 1.2 0.6 2.54 2.54 BCE 12.7min 2.3 0.6 - ICB0 VCB=700V, IE=0 - IEB0 VEB=9V, IC=0 0.1 mA 0.1 mA hFE |