Semiconductor Informations
| 7MBR75U4B120-50 ETC - Power Devices (IGBT) 6 IGBT V 6th Gen. IGBT Module V-series A compact design allows for greater power output · High performance 6th gen. IGBT, FWD chipset · Tj(max.)=175°C, Tj(op)=150°C Environmentally friendly modules · Easy assemblage, solder free options · RoHS compliant Turn-on switching characteristics · Improved noise-loss trade-off · Reduced turn-on dv, dt, excellent turn-on dic, dt Turn-off switchi |
| 7MBR75U4B120 Fuji Electric - Power Integrated Module SPECIFICATION Device Name : Power Integrated Module Type Name : 7MBR75U4B120 Spec. No. : MS6M 0855 Feb. 02 ’05 S.Miyashita Feb. 02 ’05 M.W atanabe Y.Seki K.Yamada MS6M0855 1 15 H04-004-07b Revised Records Date Classification Ind. Feb.-02 -’05 Enactment Content Applied date Drawn Checked Checked Approved Issued date M.W atanabe K.Yamada Y.Seki MS6M0855 2 15 H04-004-06b 1 |
| 7MB30A-050EHR Intelligent Power Module - Fuji г.Минск тел.8(017)2005646 www.fotorele.net minsk17@tut.by радиодетали электронные компоненты со склада и под заказ г.Минск тел.8(017)2005646 www.fotorele.net minsk17@tut.by радиодетали электронные ко |
| 7MB50A-050EHR Intelligent Power Module - Fuji г.Минск тел.8(017)2005646 www.fotorele.net minsk17@tut.by радиодетали электронные компоненты со склада и под заказ г.Минск тел.8(017)2005646 www.fotorele.net minsk17@tut.by радиодетали электронные ко |