Semiconductor Informations
| JCS4N60F Gesar - (JCS4N60x) N-CHANNEL MOSFET N 道增强型 效 晶 管 N-CHANNEL MOSFET JCS4N60V, R, S, B, C, F 主要 MAIN CHARACTERISTICS 封 Package ID VDSS Rdson （@Vgs=10V） Qg 用途 - 高 源 - 子 流器 - UPS 源 4.0 A 600 V 2.5Ω 27 nC APPLICATIONS - High efficiency switch mode power supplies - Electronic lamp ballasts based on half bridge - UPS FEATURES - Low gate charge - Low Crss (typical 14pF ) - Fast switching |
| JCS4N60FC JILIN SINO-MICROELECTRONICS - N-CHANNEL MOSFET N 道增强型 效 晶 管 R N-CHANNEL MOSFET JCS4N60C 主要 MAIN CHARACTERISTICS 封 Package ID 4.0 A VDSS 600 V Rdson（Vgs=10V） 2.5Ω Qg 9nC 用途 高 源 子 流器 LED 源 APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED power supply 品特性 低 荷 低 Crss (典型 12pF) 速度快 品全部 雪崩 高抗 dv, dt 能力 RoHS |
| JCS10N60CT N-CHANNEL MOSFET - JILIN SINO-MICROELECTRONICS N 道增强型 效 晶 管 R N-CHANNEL MOSFET JCS10N60T 主要 MAIN CHARACTERISTICS 封 Package ID 9.5 A VDSS 600 V Rdson（@Vgs=10V） 0.75Ω Qg 34 nC 用途 - 高 源 - 子 流器 - UPS 源 APPLICATIONS - High efficiency switch mode power supplies - Electronic lamp ballasts based on h |
| JCS10N60FT N-CHANNEL MOSFET - JILIN SINO-MICROELECTRONICS N 道增强型 效 晶 管 R N-CHANNEL MOSFET JCS10N60T 主要 MAIN CHARACTERISTICS 封 Package ID 9.5 A VDSS 600 V Rdson（@Vgs=10V） 0.75Ω Qg 34 nC 用途 - 高 源 - 子 流器 - UPS 源 APPLICATIONS - High efficiency switch mode power supplies - Electronic lamp ballasts based on h |